تحسين الترانزستور إلى-220-3L Sfs15r07pnf VDS-150 ID-720A RDS (ON) -7 مللي أوم QG-107ncn-Channel الطاقة في موسكفت

نموذج رقم.
SFS15R07PNF
بناء
مستو
هيكل التغليف
رقاقة الترانزستور
مستوى الطاقة
قوة عالية
مادة
السيليكون
العلامة التجارية
Orientalsemi
رمز النظام المنسق
8541290000
القدرة الإنتاجية
Over 1kk/Month
السعر المرجعي
$ 0.14 - 0.90
اتصل بنا

وصف المنتجات

 




 الوصف العام
يعتمد تصميم جهاز ®FSMOS    MOSFET      على       تصميم الأجهزة الفريد لأشباه الموصلات الشرقية   لتحقيق   نظام بيانات الراديو (RDS) المنخفض (ON) والشحن  المنخفض للبوابة   والتحويل السريع     وخصائص الانهيار الثلجي الممتازة .    تم   تصميم الفئة Vth المرتفعة خصيصًا   للاستخدام  في    أنظمة التحكم في الموتور    ذات فولتية القيادة   التي تزيد  عن 10 فولت .



الميزات
      انخفاض  نظام بيانات الراديو (RDS) (قيد التشغيل)  ونظام الوحدات عن بعد
         فقد منخفض للغاية في التحويل
       موثوقية   وانتظام فائقًا
       التبديل السريع    والاسترداد السلس



التطبيقات
       شاحن PD
       مشغل المحرك
        منظم جهد التحويل
       محول DC-DC
         مصدر طاقة وضع التبديل



  معلمات الأداء الأساسية
المعلمة القيمة الوحدة
VDS 150 V
رقم التعريف ، نبضي 720 أ
RDS (تشغيل)، الحد الأقصى  @ VGS  =10V 7 ميجا أوم
س. 107 NC



  أقصى تقديرات مطلقة  عند  TJ  =25°C  ما لم   يُذكر خلاف ذلك
المعلمة الرمز القيمة الوحدة
 فولطية مصدر التصريف VDS 150 V
 فولطية مصدر البوابة VGS ±20 V
 تيار التصريف المستمرّ  1) ، TC=25 درجة مئوية رقم التعريف 180 أ
 تيار التصريف النبضي  2) ، TC=25 درجة مئوية رقم التعريف ، نبضي 720 أ
   صمام ثنائي مستمر إلى الأمام 1) ، TC=25 درجة مئوية هو 180 أ
  تيار الصمام الثنائي النابض 2) ، TC=25 درجة مئوية هو، نبضي 720 أ
 تبديد الطاقة 3)، TC=25 درجة مئوية PD 450 W
   طاقة ثلجية واحدة نبضية 5) EAS 118 MJ
   درجة حرارة التشغيل والتخزين Tstg  ، TJ 55 إلى 150 درجة مئوية



 الخصائص الحرارية
المعلمة الرمز القيمة الوحدة
 مقاومة حرارية، علبة التوصيل RJC 0.27 درجة مئوية/واط
 المقاومة الحرارية، الوصلة - ambient4) برنامج العمل 62 درجة مئوية/واط



 الخصائص الكهربائية  في  TJ  =25°C  ما لم   يتم تحديد خلاف ذلك
المعلمة الرمز الحد الأدنى نموذجيًا الحد الأقصى الوحدة  حالة الاختبار
          فولطية عطل مصدر التصريف BVDSS 150   V VGS  =0 V، ID  =250 ميكرو أمبير
 عتبة البوابة
الجهد 		مجموعة الخدمات العامة (VIS) 3  4.5 V VDS  =VGS ، ID =250 ميكرو أمبير
التصريف - المصدر
 مقاومة في حالة التشغيل 		نظام بيانات الراديو (RDS) (قيد التشغيل  4.4 7 ميجا أوم VGS  =10 V, ID=60 a
البوابة - المصدر
 تيار التسريب
IGSS 		  100
غير متوفر 		VGS  =20 V
  100  VGS  =-20 فولت
التصريف - المصدر
 تيار التسريب 		IDSS   1 ميكرو أمبير VDS  =120 V، VGS  =0 V
 مقاومة البوابة النمو الحقيقي  1.7  أوم درجة=1 ميجا هرتز ، تصريف مفتوح



 الخصائص الديناميكية
المعلمة الرمز الحد الأدنى نموذجيًا الحد الأقصى الوحدة  حالة الاختبار
 سعة الإدخال CISS  7010  PF
VGS  =0  V,
VDS  =25 V,
درجة=100 كيلوهرتز
 مواسعة الإخراج كوز  4240  PF
  مواسعة التحويل العكسي CRS  158  PF
  وقت تأخير التشغيل TD(ON) (تشغيل)  26  غير المدخنين
VGS  =10 V,
VDS  =80 فولت،
RG=2 أوم،
ID=40  a
وقت الصعود  TR  23  غير المدخنين
  وقت تأخير إيقاف التشغيل TD(إيقاف تشغيل)  46  غير المدخنين
 وقت الخريف TF  17  غير المدخنين



  خصائص شحن البوابة
المعلمة الرمز الحد الأدنى نموذجيًا الحد الأقصى الوحدة  حالة الاختبار
إجمالي   تكلفة البوابة س.  107  NC
VGS  =10 V,
VDS  =80 فولت،
ID=40A
 شحن مصدر البوابة س.  37  NC
شحن تصريف البوابة  السؤال  17  NC
  جهد هضبة البوابة Vlhضبة  5.6  V




  خصائص الصمام الثنائي للجسم
المعلمة الرمز الحد الأدنى نموذجيًا الحد الأقصى الوحدة  حالة الاختبار
  فولطية الصمام الثنائي الأمامية VSD   1.3 V = 20 أ،
VGS  =0 V
عكس   وقت الاسترداد غرفة التجارة  145  غير المدخنين
الواقع الافتراضي=80 فولت،
= 40 a،
دي/dt=100 a/ميكرو ثانية
  عكس تكلفة الاسترداد س. ر  463  NC
   تيار استعادة الاتجاه العكسي الأقصى Irrm  5.8  أ


ملاحظة
1)      التيار المستمر المحسوب  استنادًا   إلى الحد الأقصى    لدرجة حرارة التوصيل المسموح بها.
2)     التصنيف المتكرر؛  الحد    الأقصى لدرجة  حرارة الوصلة هو عرض النبض.
3)    يستند PD    إلى  الحد الأقصى  لدرجة حرارة الوصلة، باستخدام    المقاومة الحرارية لعلبة التوصيل.
4)    VDD=50 فولت، VGS=10 فولت، L=0.3 MH، بدءًا  من TJ  =25 درجة مئوية





 
سلسلة الإمداد Transistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power Mosfet



إعلان المنتج الأخضر

Transistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power Mosfet
Transistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power MosfetTransistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power Mosfet
Transistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power MosfetTransistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power MosfetTransistor Enhancement to-220-3L Sfs15r07pnf Vds-150 ID-720A RDS (ON) -7milliohm Qg-107ncn-Channel Power Mosfet

 

أنابيب إلكترونية وترانزستورات أخرى

WTRAVELFRANCE.COM, 2023