المعيار VDS-80V ID-840A RDS (ON) -2.6 مللي أوم QG-148.1nc To263 Sfg280n08kf إن-شانيل موسكفت

نموذج رقم.
TO263 SFG280N08KF
بناء
مستو
هيكل التغليف
رقاقة الترانزستور
مستوى الطاقة
قوة عالية
مادة
السيليكون
حزمة النقل
Carton
تخصيص
35x30x37cm
العلامة التجارية
Orientalsemi
الأصل
China
رمز النظام المنسق
8541290000
القدرة الإنتاجية
Over 1kk/Month
السعر المرجعي
يرجى الاتصال بنا للحصول على عرض أسعار
اتصل بنا

وصف المنتجات

 الوصف العام
   يعتمد تصميم SFGMOS® MOSFET  على      تصميم الجهاز الفريد لأشباه الموصلات الشرقية   لتحقيق  نظام  بيانات الراديو (RDS) المنخفض (ON) والشحن المنخفض  للبوابة   والتحويل السريع     وخصائص الانهيار الثلجي الممتازة.      تم تحسين الفئة Vth المرتفعة بشكل خاص    للأنظمة عالية  الفولتية  ذات البوابة    التي تزيد عن  10 فولت.
 

الميزات
      انخفاض  نظام بيانات الراديو (RDS) (قيد التشغيل)  ونظام الوحدات عن بعد
         فقد منخفض للغاية في التحويل
       ثبات وتماثل ممتاز   
       التبديل السريع    والاسترداد السلس


التطبيقات
         مصدر طاقة الوضع المحول
       مشغل المحرك
       حماية البطارية
       محول DC-DC
       العاكس الشمسي
         محول الطاقة والالتقاط


  معلمات الأداء الأساسية
 
المعلمة القيمة الوحدة
VDS، الحد الأدنى  عند TJ(الحد الأقصى) 80 V
رقم التعريف ، نبضي 840 أ
RDS (تشغيل)، الحد الأقصى  @ VGS  =10V 2.6 ميجا أوم
س. 148.1 NC


  أقصى تقديرات مطلقة  عند  TJ  =25°C  ما لم   يُذكر خلاف ذلك
 
المعلمة الرمز القيمة الوحدة
  فولطية مصدر التصريف VDS 80 V
  فولطية مصدر البوابة VGS ±20 V
 تيار التصريف المستمرّ  1) ، TC=25 درجة مئوية رقم التعريف 280 أ
 تيار التصريف النبضي  2) ، TC=25 درجة مئوية رقم التعريف ، نبضي 840 أ
   صمام ثنائي مستمر إلى الأمام 1) ، TC=25 درجة مئوية هو 280 أ
  تيار الصمام الثنائي النابض 2) ، TC=25 درجة مئوية هو، نبضي 840 أ
 تبديد الطاقة 3) ، TC=25 درجة مئوية PD 375 W
   طاقة ثلجية واحدة نبضية 5) EAS 1000 MJ
   درجة حرارة التشغيل والتخزين Tstg  ، TJ 55 إلى 150 درجة مئوية


 الخصائص الحرارية
المعلمة الرمز القيمة الوحدة
 مقاومة حرارية، علبة التوصيل RJC 0.33 درجة مئوية/واط
 المقاومة الحرارية، الوصلة - ambient4) برنامج العمل 62 درجة مئوية/واط


 الخصائص الكهربائية  في  TJ  =25°C  ما لم   يتم تحديد خلاف ذلك
 
المعلمة الرمز الحد الأدنى نموذجيًا الحد الأقصى الوحدة  حالة الاختبار
          فولطية عطل مصدر التصريف BVDSS 80   V VGS  =0  V، ID  =250 PA
 عتبة البوابة
الجهد 		مجموعة الخدمات العامة (VIS) 2.0  4.0 V VDS  =VGS ، ID =250 PA
التصريف - المصدر
 مقاومة في حالة التشغيل 		نظام بيانات الراديو (RDS) (قيد التشغيل  2.4 2.6 MQ VGS  =10 V, ID=20 a
البوابة - المصدر
 تيار التسريب
IGSS 		  100
غير متوفر 		VGS  =20 V
  100  VGS  =-20 فولت
التصريف - المصدر
 تيار التسريب 		IDSS   1 PA VDS  =80 V، VGS  =0 V


ملاحظة
1)      التيار المستمر المحسوب  استنادًا   إلى الحد الأقصى    لدرجة حرارة التوصيل المسموح بها.
2)     التصنيف المتكرر؛  الحد    الأقصى لدرجة  حرارة الوصلة هو عرض النبض.
3)    يستند PD    إلى  الحد الأقصى  لدرجة حرارة الوصلة، باستخدام    المقاومة الحرارية لعلبة التوصيل.
4)      يتم     قياس قيمة RJA  مع   الجهاز  المثبت    على لوحة رقم واحد في الثانية FR-4  مع 2 أونصة. نحاس، في     بيئة جوية ثابتة  مع  Ta=25 درجة مئوية
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH، بدءًا  من TJ  =25 °C.


 معلومات الطلب
الحزمة
النوع 		الوحدات/
البكرة 		بكرات  /     صندوق داخلي الوحدات /     الصندوق الداخلي الصندوقُ الداخليةُ /   صندوقُ الكرتو صندوق الوحدات/      الكرتون  
TO263-C 800 1 800 5 4000



 معلومات المنتج
المنتج الحزمة Pb  مجاني RoHS  خالية من الهالوجين
SFG280N08KF TO263 نعم نعم نعم



 
سلسلة الإمداد Solar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel Mosfet



إعلان المنتج الأخضر

Solar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel Mosfet
 
Solar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel MosfetSolar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel MosfetSolar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel MosfetSolar Invert Vds-80V ID-840A RDS (ON) -2.6milliohm Qg-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Channel Mosfet

 

أنابيب إلكترونية وترانزستورات أخرى

WTRAVELFRANCE.COM, 2023